FET類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：2.7A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：14nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：220pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：3 歐姆 @ 1.7A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
封裝形式Package：DPAK
極性Polarity：P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：250V
連續(xù)漏極電流ID：2.7A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs