制造商:Vishay
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續(xù)漏極電流:2 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.4 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:18 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:42 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
系列:IRFR/U
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值:1.4 S
下降時(shí)間:25 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:23 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:30 ns
典型接通延遲時(shí)間:10 ns
單位重量:1.438 g
IRFRC20PBF
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| IRFRC20PBF | HEXFET Power MOSFET | IRF[International Rectifier] | 1087.56 Kbytes | 共10頁(yè) | IRFZ34VPBF,IRF7210PBF,IRFR210PBF,IRFR3707ZCPBF,IRF5210SPBF,IRF7460PBF,IRFBC40APBF,IRFP340PBF,IRLZ4S,IRFC240 | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) | |||
| IRFRC20PBF | Power MOSFET | VISHAY[Vishay Siliconix] | 1824.01 Kbytes | 共8頁(yè) | RJK6014DPP,53272,AP85U03GMT,2SJ314-01L,IRFBA1404PPBF,IRHY7G30CMSE,IRF7822PBF,STD20NF20,BLV1N60A,STB55NF06_06 | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) | |||
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| IRFRC20PBF | Power MOSFET | KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.] | 4339.72 Kbytes | 共7頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) |
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