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熱搜型號(hào)
典型關(guān)斷延遲時(shí)間52 ns
典型接通延遲時(shí)間7.9 ns
典型柵極電荷@Vgs21 nC V @ 10
典型輸入電容值@Vds740 pF V @ 25
安裝類型表面貼裝
寬度6.22mm
封裝類型DPAK
尺寸6.73 x 6.22 x 2.39mm
引腳數(shù)目3
最低工作溫度-55 °C
最大功率耗散56000 mW
最大柵源電壓±20 V
最大漏源電壓100 V
最大漏源電阻值0.115
最大連續(xù)漏極電流14 A
最高工作溫度+175 °C
每片芯片元件數(shù)目1
類別功率 MOSFET
通道模式增強(qiáng)
通道類型N
配置單
長(zhǎng)度6.73mm
高度2.39mm
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