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IRFR3711Z
規(guī)格信息:

產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Discrete Power MOSFETs 40V and Below

設(shè)計(jì)資源:IRFR3711Z Saber Model IRFR3711Z Spice Model

標(biāo)準(zhǔn)包裝:75

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:HEXFET®

包裝:管件

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門(mén)

漏源極電壓(Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):93A(Tc)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.7 毫歐 @ 15A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.45V @ 250µA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):27nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2160pF @ 10V

功率 - 最大值:79W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應(yīng)商器件封裝:D-Pak

其它名稱:*IRFR3711Z

介紹圖IRFR3711Z
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