FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：56A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.25V @ 25μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：14nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1150pF @ 15V
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：9.5 毫歐 @ 15A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：D-Pak
封裝/外殼：DPAK
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：56 A
最大漏源電壓：30 V
最大漏源電阻值：12.5 m0hms
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：DPAK (TO-252)
晶體管配置：單
引腳數(shù)目：3
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：50 W
最高工作溫度：+175 °C
長(zhǎng)度：6.73mm
最低工作溫度：-55 °C
高度：6.22mm
每片芯片元件數(shù)目：1
正向跨導(dǎo)：71S
正向二極管電壓：1V
系列：HEXFET
尺寸：6.73 x 2.39 x 6.22mm
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：9.6 nC @ 4.5 V
典型輸入電容值@Vds：1150 pF @ 15 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：12 ns
典型接通延遲時(shí)間：8 ns
寬度：2.39mm
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs