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IRFR3711
規(guī)格信息：

產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below

標(biāo)準(zhǔn)包裝：75

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭：FET - 單

系列：HEXFET®

包裝：管件

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss）：20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：100A（Tc）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：6.5 毫歐 @ 15A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：44nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：2980pF @ 10V

功率 - 最大值：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：D-Pak

其它名稱：*IRFR3711

介紹圖IRFR3711
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