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IRFNL210B
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:1 A

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Rds On-漏源導通電阻:1.5 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.1 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-92-3

商標:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:25 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:35 ns

系列:IRFNL210B

典型關閉延遲時間:20 ns

典型接通延遲時間:5.2 ns

介紹圖IRFNL210B
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IRFNL210B200V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)680.04 Kbytes共8頁IRFNL210B的PDF文件地址STD4N20,FDC2612,FQAF19N20L,FQB5N20L,FQP4N20L,FQPF4N20,IRF620B,IRFW620B,FQP32N20C,FDD2612 IRFNL210B的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IRFNL210BTA-FP001MOSFET N-CH 200V 1A TO-92LON SemiconductorON Semiconductor的LOGO-天天IC網(wǎng)680.50 Kbytes共8頁IRFNL210BTA-FP001的PDF文件地址 IRFNL210BTA-FP001的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IRFNL210BTA-FP001MOSFET 200V N-CHANON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO-天天IC網(wǎng)566.10 Kbytes共12頁IRFNL210BTA-FP001的PDF文件地址 IRFNL210BTA-FP001的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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