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IRFN044
規(guī)格信息:

包裝:3SMD-1

通道模式:Enhancement

最大漏源電壓:60 V

最大連續(xù)漏極電流:44 A

RDS -于:40@10V mOhm

最大門源電壓:±20 V

典型導(dǎo)通延遲時間:23(Max) ns

典型上升時間:130(Max) ns

典型關(guān)閉延遲時間:81(Max) ns

典型下降時間:79(Max) ns

工作溫度:-55 to 150 °C

安裝:Surface Mount

標(biāo)準(zhǔn)包裝:Bulk

最大門源電壓:±20

歐盟RoHS指令:Not Compliant

最高工作溫度:150

標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱:SMD

包裝高度:3.58(Max)

最大功率耗散:125000

渠道類型:N

最大漏源電阻:40@10V

最低工作溫度:-55

最大漏源電壓:60

每個芯片的元件數(shù):1

包裝寬度:16(Max)

供應(yīng)商封裝形式:SMD-1

包裝長度:11.55(Max)

PCB:3

最大連續(xù)漏極電流:44

引腳數(shù):3

介紹圖IRFN044
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IRFN044POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=60V, Rds(on)=0.040ohm, Id=44A) IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC網(wǎng)211.52 Kbytes共6頁IRFN044的PDF文件地址SHD224701,SHD225701,STD100NH02L,STW13NK100Z,STD12NF06,MRF19030LR3,STD35NF3LL,STN2NE10L,STP14NF06,2SK3405 IRFN044的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IRFN044SMDN-CHANNEL POWER MOSFET SEME-LAB[Seme LAB]SEME-LAB[Seme LAB]的LOGO-天天IC網(wǎng)22.51 Kbytes共2頁IRFN044SMD的PDF文件地址MRF154,STD100NH03L,STB160NF02L,STB30NS15,STB60NF06,STB80NF03L-04,STE180NE10,AF70N02,STN3NF06 IRFN044SMD的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IRFN044相關(guān)型號規(guī)格信息
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