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IRFMG40
規(guī)格信息：

制造商:International Rectifier

產品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:3.9 A

Vds-漏源極擊穿電壓:1000 V

Rds On-漏源導通電阻:4.2 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-254AA-3

商標:International Rectifier

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:50 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:50 ns

典型關閉延遲時間:170 ns

典型接通延遲時間:30 ns

介紹圖IRFMG40
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
IRFMG40POWER MOSFET THRU-HOLE 1000V, N-CHANNEL IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC網474.4 Kbytes共7頁IRFMG40的PDF文件地址IRFMG50,IRFPG40,STW13NK100Z,IRHMS57264SE,IRL7Y1905C,IRL7YS1404CM,STP5NK100Z,IRHMS57160,STD60N55,STB160NF3LL IRFMG40的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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