制造商:International Rectifier
產(chǎn)品種類:MOSFET
Id-連續(xù)漏極電流:55 A
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:31 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:150 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SMD-3
商標(biāo):International Rectifier
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:100 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:180 ns
典型關(guān)閉延遲時間:100 ns
典型接通延遲時間:33 ns
IRFN054
| 型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關(guān)型號 | 第一頁預(yù)覽 | 產(chǎn)品購買 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFN054 | POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=60V, Rds(on)=0.020ohm, Id=55A*) | IRF[International Rectifier] | 218.41 Kbytes | 共6頁 | SHD224701,SHD225701,MRF141,SD1905,DV2805,STB45NF06,STB75NF75,STB90NF03L,STD12NF06L,AF9928N | 產(chǎn)品購買 | |||
| IRFN054SMD | N-CHANNEL POWER MOSFET | SEME-LAB[Seme LAB] | 23.58 Kbytes | 共2頁 | MRF154,STD100NH03L,STB160NF02L,STB30NS15,STB60NF06,STB80NF03L-04,STE180NE10,AF70N02,STN3NF06 | 產(chǎn)品購買 |
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