FET 類(lèi)型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：19A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：35nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：620pF @ 25V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），68W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：100 毫歐 @ 10A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-262
封裝/外殼：TO262
通道類(lèi)型：P
最大連續(xù)漏極電流：14 A
最大漏源電壓：55 V
最大漏源電阻值：100 m0hms
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類(lèi)型：I2PAK (TO-262)
晶體管配置：單
引腳數(shù)目：3
通道模式：增強(qiáng)
類(lèi)別：功率 MOSFET
最大功率耗散：68 W
最高工作溫度：+175 °C
長(zhǎng)度：10.67mm
最低工作溫度：-55 °C
高度：9.65mm
每片芯片元件數(shù)目：1
正向跨導(dǎo)：4.2S
正向二極管電壓：1.6V
系列：HEXFET
尺寸：10.67 x 4.83 x 9.65mm
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：35 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：620 pF @ -25 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：30 ns
典型接通延遲時(shí)間：13 ns
寬度：4.83mm
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs