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IRF9Z24L
規(guī)格信息:

制造商:Vishay

產品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:11 A

Vds-漏源極擊穿電壓:- 60 V

Rds On-漏源導通電阻:280 mOhms

晶體管極性:P-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:60 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:I2PAK-3

商標:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:29 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:68 ns

典型關閉延遲時間:15 ns

典型接通延遲時間:13 ns

介紹圖IRF9Z24L
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
IRF9Z24LPower MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A) IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC網311.01 Kbytes共10頁IRF9Z24L的PDF文件地址JANTX2N6804,SHD244702,SBF50P10-023L,IRF5NJ6215,IRF5Y6215CM,SHD224701,IRFN9240,SHD225701,NTQD6968N,CMT60N03 IRF9Z24L的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IRF9Z24LPower MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO-天天IC網2304.22 Kbytes共8頁IRF9Z24L的PDF文件地址RJK6014DPP,FS7UM-12,FK7VS-12,FY8ACH-02A,NTK3139P,FL7KM-12A,IRF6616,FL20KM-5A,IRLW610A,IRFZ24A IRF9Z24L的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IRF9Z24LAdvanced Process Technology KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]的LOGO-天天IC網825.68 Kbytes共8頁IRF9Z24L的PDF文件地址 IRF9Z24L的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IRF9Z24LPBFPower MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO-天天IC網2304.22 Kbytes共8頁IRF9Z24LPBF的PDF文件地址RJK6014DPP,FS7UM-12,FK7VS-12,FY8ACH-02A,NTK3139P,FL7KM-12A,IRF6616,FL20KM-5A,IRLW610A,IRFZ24A IRF9Z24LPBF的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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