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制造商:Vishay

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:11 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:280 mOhms

晶體管極性:P-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :+/- 20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:3700 mW

封裝 / 箱體:TO-262-3

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:29 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:68 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:15 ns

典型接通延遲時(shí)間:13 ns