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制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:6.8 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:480 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:18 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:48 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Tube

高度:15.65 mm

長度:10 mm

晶體管類型:1 P-Channel

類型:HEXFET Power MOSFET

寬度:4.4 mm

商標(biāo):Infineon Technologies

下降時(shí)間:31 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:47 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:28 ns

典型接通延遲時(shí)間:14 ns

零件號別名:SP001554524

單位重量:6 g