封裝/外殼：SO8
FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：9.2A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，20V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 25μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：38nC @ 10V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1110pF @ 25V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：13.3 毫歐 @ 9.2A，20V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：8-SO
通道類型：P
最大連續(xù)漏極電流：9.2 A
最大漏源電壓：30 V
最大漏源電阻值：32.5 m0hms
最大柵閾值電壓：2.4V
最小柵閾值電壓：1.3V
最大柵源電壓：-25 V、+25 V
封裝類型：SOIC
晶體管配置：單
引腳數(shù)目：8
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：2.5 W
每片芯片元件數(shù)目：1
最高工作溫度：+150 °C
最低工作溫度：-55 °C
高度：1.5mm
正向跨導(dǎo)：13S
正向二極管電壓：1.2V
系列：HEXFET
尺寸：5 x 4 x 1.5mm
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：25 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：1110 pF @ -25 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：55 ns
典型接通延遲時(shí)間：16 ns
寬度：4mm
長度：5mm
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs