封裝/外殼：SO8
FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：9.8A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：17.5 毫歐 @ 9.8A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 25μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：41nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1270pF @ 25V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：41nC
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1270pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：25V
供應(yīng)商器件封裝：8-SO
通道類型：P
最大連續(xù)漏極電流：9.8 A
最大漏源電壓：30 V
最大漏源電阻值：28.1 m0hms
最大柵閾值電壓：2.4V
最小柵閾值電壓：1.3V
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：SOIC
引腳數(shù)目：8
通道模式：增強
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：2.5 W
典型接通延遲時間：15 ns
典型關(guān)斷延遲時間：73 ns
典型輸入電容值@Vds：1270 pF @ -25 V
典型柵極電荷@Vgs：27 nC @ 15 V
最高工作溫度：+150 °C
高度：1.5mm
系列：HEXFET
每片芯片元件數(shù)目：1
寬度：4mm
長度：5mm
正向跨導(dǎo)：36S
正向二極管電壓：1.2V
尺寸：5 x 4 x 1.5mm
最低工作溫度：-55 °C
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs