FET類型：P 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：4A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：8.7nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：200pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），43W（Tc）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.2 歐姆 @ 2.4A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
封裝形式Package：D2PAK
極性Polarity：P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：100V
連續(xù)漏極電流ID：4A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs