FET 類(lèi)型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：11A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 25μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：9.3nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：760pF @ 15V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：11.9 毫歐 @ 11A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：8-SO
封裝/外殼：SO8
通道類(lèi)型：N
最大連續(xù)漏極電流：11 A
最大漏源電壓：30 V
最大漏源電阻值：12 m0hms
最大柵閾值電壓：2.35V
最小柵閾值電壓：1.35V
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類(lèi)型：SOIC
引腳數(shù)目：8
晶體管配置：單
通道模式：增強(qiáng)
類(lèi)別：功率 MOSFET
最大功率耗散：2.5 W
最低工作溫度：-55 °C
每片芯片元件數(shù)目：1
尺寸：5 x 4 x 1.5mm
寬度：4mm
系列：HEXFET
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：6.2 nC @ 4.5 V
典型輸入電容值@Vds：760 pF@ 15 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：7.3 ns
典型接通延遲時(shí)間：6.7 ns
高度：1.5mm
最高工作溫度：+150 °C
長(zhǎng)度：5mm
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs