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IRF840B
規(guī)格信息：

FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：500V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：8A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：53nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1800pF @ 25V

功率耗散（最大值）：134W（Tc）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：800 毫歐 @ 4A，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3

封裝/外殼：TO-220-3

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

IRF840B

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買
IRF840B	500V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	911.1 Kbytes	共10頁(yè)	STD2NC50,STP20NM50FD,STW15NB50,FQB2N50,FQNL1N50B,FQPF5N50,IRFS450B,IRF430,FQPF5N50CF,FQPF9N50CF	產(chǎn)品購(gòu)買
IRF840B	500V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	908.03 Kbytes	共10頁(yè)	STW26NM50,FQP13N50CF,STB200NF04L,2SK3593-01,STD20NF06L,SI4888DY,GFP60N03,MCH3421,UF640,ZXMN7A11K	產(chǎn)品購(gòu)買
IRF840B	D Series Power MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	291.06 Kbytes	共8頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
IRF840B_05	500V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	908.03 Kbytes	共10頁(yè)	STW26NM50,FQP13N50CF,STB200NF04L,2SK3593-01,STD20NF06L,SI4888DY,GFP60N03,MCH3421,UF640,ZXMN7A11K	產(chǎn)品購(gòu)買
IRF840BPBF	MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS	Vishay / Siliconix	281.16 Kbytes	共8頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
IRF840BPBF	MOSFET N-CH 500V 8.7A TO-220AB	Vishay Siliconix	162.42 Kbytes	共8頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
IRF840BPBF		VISHAY(威世)	284.51 Kbytes	共8頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
IRF840BPBF-BE3	MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB	Vishay Siliconix	162.42 Kbytes	共8頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買