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IRF830STRRPBF
規(guī)格信息:

產(chǎn)品種類MOSFET

晶體管極性N-Channel

汲極/源極擊穿電壓500 V

閘/源擊穿電壓+/- 20 V

漏極連續(xù)電流4.5 A

電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)1500 mOhms

配置Single

最大工作溫度+ 150 C

安裝風(fēng)格SMD/SMT

封裝 / 箱體D2PAK

封裝Reel

下降時(shí)間16 ns

最小工作溫度- 55 C

功率耗散3100 mW

上升時(shí)間16 ns

工廠包裝數(shù)量800

典型關(guān)閉延遲時(shí)間42 ns

介紹圖IRF830STRRPBF
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IRF830STRRPBFPower MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO-天天IC網(wǎng)179.79 Kbytes共9頁IRF830STRRPBF的PDF文件地址 IRF830STRRPBF的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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