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IRF8306MTRPBF
規(guī)格信息:

產(chǎn)品培訓模塊:High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below

標準包裝:4,800

類別:分立半導體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:HEXFET®

包裝:帶卷(TR)

FET 類型:MOSFET N 通道,肖特基,金屬氧化物!

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓(Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):23A(Ta),140A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 23A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 100µA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):38nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4110pF @ 15V

功率 - 最大值:2.1W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:DirectFET? 等容 MX

供應商器件封裝:DIRECTFET? MX

介紹圖IRF8306MTRPBF
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IRF8306MTRPBFHEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC網(wǎng)280.52 Kbytes共9頁IRF8306MTRPBF的PDF文件地址 IRF8306MTRPBF的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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