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IRF830PBF
規(guī)格信息：

制造商:Vishay

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220AB-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:500 V

Id-連續(xù)漏極電流:4.5 A

Rds On-漏源導通電阻:1.5 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:38 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:74 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Tube

系列:IRF

晶體管類型:1 N-Channel

商標:Vishay / Siliconix

正向跨導 - 最小值:2.5 S

下降時間:16 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:16 ns

工廠包裝數(shù)量:50

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:42 ns

典型接通延遲時間:8.2 ns

零件號別名:SIHF830-E3

單位重量:6 g

IRF830PBF

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關型號	產(chǎn)品購買
IRF830PBF	HEXFET Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	876.43 Kbytes	共7頁	IRF7341,IRLR2905,IRF7494,IRL3303,IRL2703S,IRLL2703,IRFIZ24G,IRL3202,IRL3716,IRF7328	產(chǎn)品購買
IRF830PBF	Power MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	135.96 Kbytes	共8頁	RJK6014DPP,53272,AP85U03GMT,2SJ314-01L,IRFBA1404PPBF,IRHY7G30CMSE,IRF7822PBF,STD20NF20,BLV1N60A,STB55NF06_06	產(chǎn)品購買
IRF830PBF	5.0A,500V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET	THINKISEMI[Thinki Semiconductor Co., Ltd.]	1255.25 Kbytes	共6頁		產(chǎn)品購買
IRF830PbF	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4.5A 漏源電壓（Vdss）：500V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：1.5Ω @ 2.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：74W 類型：N溝道	VISHAY(威世)	151.56 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買

IRF830PBF相關型號PDF文件資料

IRF830PBF相關型號規(guī)格信息

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