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IRF840L PDF文件_規(guī)格信息

IRF840L
規(guī)格信息：

FET 類(lèi)型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：500V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：8A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：63nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1300pF @ 25V

功率耗散（最大值）：125W（Tc）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：850 毫歐 @ 4.8A，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類(lèi)型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：I2PAK

封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線(xiàn)，I2Pak，TO-262AA

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

IRF840L

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠(chǎng)商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRF840L	Ease of Paralleling	VISHAY[Vishay Siliconix]	176.79 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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IRF840LC	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	319.07 Kbytes	共2頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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IRF840LCSTRL	MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK	Vishay Siliconix	225.83 Kbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRF840LCSTRR	Power MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	1028.82 Kbytes	共8頁(yè)	RJK6014DPP,53272,AP85U03GMT,2SJ314-01L,IRFBA1404PPBF,IRHY7G30CMSE,IRF7822PBF,STD20NF20,BLV1N60A,STB55NF06_06	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRF840LCSTRRPBF	Power MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	175.22 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRF840LPBF	MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB	Vishay Siliconix	160.19 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)