封裝/外殼：SO8
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：80V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：9.3A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：53nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1510pF @ 25V
功率耗散（最大值）：2.5W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：15 毫歐 @ 5.6A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝形式Package：SOIC
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：80V
連續(xù)漏極電流ID：9.3A
供應(yīng)商器件封裝：8-SO
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs