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IRF7478QPBF
規(guī)格信息：

制造商:International Rectifier

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:7 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導通電阻:30 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

Qg-柵極電荷:21 nC

Pd-功率耗散:2.5 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOIC-8

商標:International Rectifier

介紹圖IRF7478QPBF
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IRF7478QPBFAdvanced Process Technology IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC網(wǎng)194.6 Kbytes共9頁IRF7478QPBF的PDF文件地址 IRF7478QPBF的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IRF7478QPBFSMPS MOSFET IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC網(wǎng)214.59 Kbytes共8頁IRF7478QPBF的PDF文件地址IRF3703PBF,IRF7456PBF,IRFPS35N50LPBF,IRF3709PBF,IRF3708PBF,IRF730AS,IRF7469PBF,IRF6216,IRF6217PBF,IRF7478PBF IRF7478QPBF的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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