產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設(shè)計(jì)資源：IRF7476 Saber Model IRF7476 Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝：95
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓（Vdss）：12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：15A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：8 毫歐 @ 15A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.9V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：40nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：2550pF @ 6V
功率 - 最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO
其它名稱：*IRF7476Q1332195