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典型關(guān)斷延遲時(shí)間17 ns

典型接通延遲時(shí)間10 ns

典型柵極電荷@Vgs28 nC V @ 10

典型輸入電容值@Vds990 pF V @ 25

安裝類(lèi)型表面貼裝

寬度4mm

封裝類(lèi)型SO-8

尺寸5 x 4 x 1.5mm

引腳數(shù)目8

最低工作溫度-55 °C

最大功率耗散2.5 W

最大柵源電壓±30 V

最大漏源電壓150 V

最大漏源電阻值0.09

最大連續(xù)漏極電流3.6 A

最高工作溫度+150 °C

每片芯片元件數(shù)目1

類(lèi)別功率 MOSFET

通道模式增強(qiáng)

通道類(lèi)型N

配置四漏極、單、三源

長(zhǎng)度5mm

高度1.5mm