封裝/外殼：SO8
FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：15A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：8.2 毫歐 @ 15A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：130nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：7980pF @ 15V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
系列：HEXFET?
FET類型：P 溝道
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：15A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：130nC @ 4.5V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：7980pF @ 15V
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：8.2 毫歐 @ 15A，4.5V
封裝形式Package：SOIC
極性Polarity：P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：20V
連續(xù)漏極電流ID：15A
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：130nC
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：7980pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：15V
供應商器件封裝：8-SO
無鉛情況/RoHs：否