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通道類型：N

最大連續(xù)漏極電流：13 A

最大漏源電壓：30 V

最大漏源電阻值：11 m0hms

最大柵閾值電壓：3V

最小柵閾值電壓：1V

最大柵源電壓：-20 V、+20 V

封裝類型：SOIC

安裝類型：表面貼裝

引腳數(shù)目：8

晶體管配置：單

通道模式：增強

類別：功率 MOSFET

最大功率耗散：2.5 W

最低工作溫度：-55 °C

最高工作溫度：+150 °C

每片芯片元件數(shù)目：1

長度：5mm

高度：1.5mm

系列：HEXFET

寬度：4mm

晶體管材料：Si

典型柵極電荷@Vgs：52 nC @ 10 V

典型輸入電容值@Vds：1800 pF@ 25 V

典型關斷延遲時間：52 ns

典型接通延遲時間：8.6 ns

尺寸：5 x 4 x 1.5mm

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs