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IRF7413Z
規(guī)格信息:

產(chǎn)品培訓模塊:Discrete Power MOSFETs 40V and Below

設(shè)計資源:IRF7413Z Saber Model IRF7413Z Spice Model

標準包裝:95

類別:分立半導體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:HEXFET®

包裝:管件

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓(Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):13A(Ta)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 13A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.25V @ 250µA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1210pF @ 15V

功率 - 最大值:2.5W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝:8-SO

其它名稱:*IRF7413Z

介紹圖IRF7413Z
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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IRF7413ZTRPBFMOSFET MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nCInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)284.63 Kbytes共10頁IRF7413ZTRPBF的PDF文件地址 IRF7413ZTRPBF的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IRF7413ZTRPBFMOSFET N-CH 30V 13A 8SOInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)293.29 Kbytes共11頁IRF7413ZTRPBF的PDF文件地址 IRF7413ZTRPBF的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IRF7413ZTRPBF連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時):13A 漏源電壓(Vdss):30V 柵源極閾值電壓:2.25V @ 25uA 漏源導通電阻:10mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 類型:N溝道Infineon(英飛凌)Infineon(英飛凌)的LOGO-天天IC網(wǎng)284.19 Kbytes共10頁IRF7413ZTRPBF的PDF文件地址 IRF7413ZTRPBF的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IRF7413ZTRPBFMOSFET, Power,N-Ch,VDSS 30V,RDS(ON) 8 Milliohms,ID 13A,SO-8,PD 2.5W,VGS +/-20VInfineonInfineon的LOGO-天天IC網(wǎng)293.29 Kbytes共11頁IRF7413ZTRPBF的PDF文件地址 IRF7413ZTRPBF的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IRF7413ZUPBFHEXFET?? Power MOSFET IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC網(wǎng)219.63 Kbytes共10頁IRF7413ZUPBF的PDF文件地址IRLL014,IRF7F3704,IRL3103SPBF,NTTD4401F,SSI2N80A,NTD4810NH,NUS5530MN,3935,IRF3704Z IRF7413ZUPBF的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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