產(chǎn)品培訓模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
標準包裝：95
類別：分立半導體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：8.9A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：24 毫歐 @ 8.7A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：20nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：1877pF @ 10V
功率 - 最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO