設計資源：IRF7103Q Saber Model IRF7103Q Spice Model
標準包裝：1
類別：分立半導體產(chǎn)品
家庭：FET - 陣列
系列：HEXFET®
包裝：剪切帶（CT）
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：標準
漏源極電壓（Vdss）：50V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：3A
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：130 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：15nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：255pF @ 25V
功率 - 最大值：2.4W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝：8-SO
其它名稱：IRF7103QTRPBFCT