封裝/外殼：MG-WDSON-6
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）：25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：16A
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：4.2 毫歐 @ 16A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 35μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：13nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1350pF @ 13V
功率 - 最大值：1.7W
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
FET類型：2 個 N 溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：4.2 毫歐 @ 16A，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 35μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：13nC @ 4.5V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1350pF @ 13V
功率-最大值：1.7W
封裝形式Package：Direct-FET
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：25V
連續(xù)漏極電流ID：16A
供應商器件封裝：DIRECTFET? SA
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs