封裝/外殼：MG-WDSON-5
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：27A（Ta），150A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.5 毫歐 @ 27A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：54nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：4404pF @ 15V
功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），89W（Tc）
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
系列：HEXFET?
FET類型：N 溝道
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：27A（Ta），150A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 100μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：54nC @ 4.5V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：4404pF @ 15V
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.5 毫歐 @ 27A，10V
封裝形式Package：Direct-FET
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：30V
連續(xù)漏極電流ID：27A
供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET? MX
無鉛情況/RoHs：否