產(chǎn)品培訓模塊：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設計資源：IRF6718L2TR1PBF Saber Model IRF6718L2TR1PBF Spice Model
特色產(chǎn)品：IRF6718 DirectFET? MOSFET
標準包裝：1,000
類別：分立半導體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：61A（Ta），270A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：0.7 毫歐 @ 61A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 150µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：96nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：6500pF @ 13V
功率 - 最大值：4.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：DirectFET? 等距 L6
供應商器件封裝：DIRECTFET L6
其它名稱：IRF6718L2TR1PBFTR