產(chǎn)品培訓模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設計資源：IRF6691 Saber Model IRF6691 Spice Model
標準包裝：4,800
類別：分立半導體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：32A（Ta），180A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.8 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：71nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：6580pF @ 10V
功率 - 最大值：2.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：DirectFET? 等容 MT
供應商器件封裝：DIRECTFET? MT
其它名稱：IRF6691TR