產(chǎn)品培訓模塊:Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設計資源:IRF6691 Saber Model IRF6691 Spice Model
標準包裝:4,800
類別:分立半導體產(chǎn)品
家庭:FET - 單
系列:HEXFET®
包裝:帶卷(TR)
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):32A(Ta),180A(Tc)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 毫歐 @ 15A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):71nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6580pF @ 10V
功率 - 最大值:2.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:DirectFET? 等容 MT
供應商器件封裝:DIRECTFET? MT
其它名稱:IRF6691TR