產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
設(shè)計(jì)資源：IRF6674TR1PBF Saber Model IRF6674TR1PBF Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）：60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：13.4A（Ta），67A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：11 毫歐 @ 13.4A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4.9V @ 100µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：36nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：1350pF @ 25V
功率 - 最大值：3.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ
供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET? MZ
其它名稱：IRF6674TR1PBFTR