封裝/外殼：MG-WDSON-4
FET 類(lèi)型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：19A（Ta），74A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 35μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：17nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1590pF @ 13V
功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），32W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：3.7 毫歐 @ 19A，10V
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型：表面貼裝
系列：HEXFET?
FET類(lèi)型：N 溝道
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：19A（Ta），74A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 35μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：17nC @ 4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1590pF @ 13V
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：3.7 毫歐 @ 19A，10V
封裝形式Package：Direct-FET
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：25V
連續(xù)漏極電流ID：19A
供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET? SQ
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs