制造商:Infineon
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:55 V
Id-連續(xù)漏極電流:31 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:60 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:42 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:110 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:2.3 mm
長(zhǎng)度:6.5 mm
晶體管類(lèi)型:1 P-Channel
類(lèi)型:HEXFET Power MOSFET
寬度:6.22 mm
商標(biāo):Infineon / IR
下降時(shí)間:63 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:66 ns
工廠包裝數(shù)量:800
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:39 ns
典型接通延遲時(shí)間:14 ns
零件號(hào)別名:SP001571302
單位重量:4 g
IRF5305STRRPBF
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| IRF5305STRRPBF | Advanced Process Technology | IRF[International Rectifier] | 706.19 Kbytes | 共11頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) |
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