產品培訓模塊:High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
設計資源:IRF520NS Saber Model IRF520NS Spice Model
標準包裝:800
類別:分立半導體產品
家庭:FET - 單
系列:HEXFET®
包裝:帶卷(TR)
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓(Vdss):100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9.7A(Tc)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):200 毫歐 @ 5.7A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):25nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):330pF @ 25V
功率 - 最大值:3.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商器件封裝:D2PAK
其它名稱:IRF520NSTRLPBF-NDIRF520NSTRLPBFTR
IRF520NSTRLPBF
| 型號 | 功能描述 | 生產廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數 | PDF文件 | 相關型號 | 第一頁預覽 | 產品購買 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF520NSTRLPBF | Advanced Process Technology | IRF[International Rectifier] | 414.57 Kbytes | 共11頁 | 產品購買 |
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