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IRF5210S PDF文件_規(guī)格信息

IRF5210S
規(guī)格信息：

封裝/外殼：D2PAK

Packing Type：TAPE & REEL RIGHT

Moisture Level：1

RDS (on) max：60.0m?

VDS max：-100.0V

ID max：-29.0A

Package：D2PAK (TO-263)

Tj max：150.0°C

QG：120.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.98

Ptot max：170.0W

Polarity：P

Qgd：64.7nC

VGS max：20.0V

Mounting：SMD

RthJC max：0.75K/W

ID (@ TC=25°C) max：-40.0A

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IRF5210S

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
IRF5210S	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)	IRF[International Rectifier]	186.9 Kbytes	共10頁	SHD224701,IRF5210,SHD225701,SHD244702,SBF50P10-023L,MMSF10N02Z,MRF1507,MTSF3N02HD,NTMD6N03R2,IRFIZ48VPBF	產(chǎn)品購買
IRF5210S	isc P-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	296.67 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買
IRF5210SPBF	HEXFET Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	696.34 Kbytes	共10頁	IRFZ34VPBF,IRF7210PBF,IRFR210PBF,IRFR3707ZCPBF,IRLZ4S,IRFC240,IRF8010PBF,IRFS4321PBF,IRF9952PBF,IRF3704ZCSPBF	產(chǎn)品購買
IRF5210SPBF	Advanced Process Technology	IRF[International Rectifier]	316.18 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
IRF5210SPBF	isc P-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	318.93 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買
IRF5210STRLPBF	Advanced Process Technology	IRF[International Rectifier]	316.18 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
IRF5210STRR	Advanced Process Technology	IRF[International Rectifier]	207.79 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRF5210STRRPBF	MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC	Infineon Technologies	311.39 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
IRF5210STRRPBF	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK	Infineon Technologies	319.26 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRF5210STRRPBF	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：38A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：-100V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：60mΩ @ 38A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Ta),170W(Tc) 類型：P溝道	Infineon(英飛凌)	310.59 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買