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IRF3709S
規(guī)格信息：

產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below

標(biāo)準(zhǔn)包裝：50

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭：FET - 單

系列：HEXFET®

包裝：管件

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss）：30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：90A（Tc）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：9 毫歐 @ 15A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：41nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：2672pF @ 16V

功率 - 最大值：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝：D2PAK

其它名稱：*IRF3709S

IRF3709S

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
IRF3709S	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=90Aa?￥)	IRF[International Rectifier]	121.99 Kbytes	共11頁	SHD224701,SHD225701,SHD244702,SBF50P10-023L,MMSF10N02Z,MRF1507,MTSF3N02HD,NTMD6N03R2,IRFIZ48VPBF,MMDF3N03HD	產(chǎn)品購買
IRF3709SPBF	SMPS MOSFET	IRF[International Rectifier]	227.68 Kbytes	共11頁	IRF7451PBF,IRFPS30N60KPBF,IRF730AS,IRF3703PBF,IRF7456PBF,IRFPS35N50LPBF,IRF7469PBF,IRF7478PBF,IRF730ASPBF,IRFS9N60APBF	產(chǎn)品購買
IRF3709STRL	MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK	Infineon Technologies	126.89 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRF3709STRLPBF	MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC	Infineon Technologies	232.48 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRF3709STRLPBF	MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK	Infineon Technologies	237.44 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購買
IRF3709STRLPBF	HEXFET SMPS POWER MOSFET	International Rectifier	237.44 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購買
IRF3709STRLPBF	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：90A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：9mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	231.61 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRF3709STRR	MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK	Infineon Technologies	126.89 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRF3709STRRPBF	MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK	Infineon Technologies	237.44 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購買