FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：59A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.25V @ 25μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：15nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1210pF @ 15V
功率耗散（最大值）：57W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：9.5 毫歐 @ 21A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：D2PAK
封裝/外殼：D2PAK
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：59 A
最大漏源電壓：30 V
最大漏源電阻值：10 m0hms
最大柵閾值電壓：2.25V
最小柵閾值電壓：1.35V
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：D2PAK (TO-263)
引腳數(shù)目：3
晶體管配置：單
通道模式：增強
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：57 W
高度：4.83mm
每片芯片元件數(shù)目：1
尺寸：10.67 x 9.65 x 4.83mm
寬度：9.65mm
系列：HEXFET
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：9.7 nC @ 4.5 V
典型輸入電容值@Vds：1210 pF@ 15 V
典型關斷延遲時間：12 ns
典型接通延遲時間：9.8 ns
最低工作溫度：-55 °C
最高工作溫度：+175 °C
長度：10.67mm
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs