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IPT029N08N5
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-HSOF-8

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：2.9m?

IDpuls max：676.0A

VDS max：80.0V

ID max：169.0A

Package：TO-Leadless (HSOF-8)

Rth：0.9K/W

QG：70.0nC

Budgetary Price ?€/1k：1.53

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：167.0W

Polarity：N

Qgd：15.0nC

Pin Count：8.0Pins

RthJA max：62.0K/W

Mounting：SMD

VGS(th) min max：2.2V 3.8V

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

介紹圖IPT029N08N5
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPT029N08N5OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 V INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)1039.75 Kbytes共11頁(yè)IPT029N08N5的PDF文件地址 IPT029N08N5的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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購(gòu)買(mǎi)、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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