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IPT012N06N
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-HSOF-8

Packing Type：TAPE & REEL

RDS (on) max：1.2m?

IDpuls max：960.0A

VDS max：60.0V

ID max：240.0A

Package：TO-Leadless (HSOF-8)

Rth：0.4K/W

QG：106.0nC

Budgetary Price ?€/1k：1.9

Ptot max：214.0W

Polarity：N

Qgd：19.0nC

Pin Count：8.0Pins

RthJA max：62.0K/W

Mounting：SMD

RthJC max：0.7K/W

VGS(th) min max：2.1V 3.3V

Operating Temperature max：-55.0°C

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖IPT012N06N
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IPT012N06NOptiMOSTM Power-Transistor, 60 V INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)1022.36 Kbytes共11頁IPT012N06N的PDF文件地址 IPT012N06N的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IPT012N06NATMA1MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOFInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)634.20 Kbytes共11頁IPT012N06NATMA1的PDF文件地址 IPT012N06NATMA1的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復)
詢價型號*數(shù)量*批號封裝品牌其它要求
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