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IPT012N08N5
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-HSOF-8

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：1.2m?

IDpuls max：1200.0A

VDS max：80.0V

ID max：300.0A

Package：TO-Leadless (HSOF-8)

Rth：0.4K/W

QG：178.0nC

Budgetary Price ?€/1k：2.94

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：375.0W

Polarity：N

Pin Count：8.0Pins

RthJA max：62.0K/W

Coss：2000.0pF

Ciss：13000.0pF

VGS(th) min max：2.2V 3.8V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPT012N08N5

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPT012N08N5	N-channel, normal level	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1228.08 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
IPT012N08N5ATMA1	MOSFET N-Ch 80V 300A HSOF-8	Infineon Technologies	1.14 Mbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
IPT012N08N5ATMA1	MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF	Infineon Technologies	936.36 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IPT012N08N5ATMA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：300A 漏源電壓（Vdss）：80V 柵源極閾值電壓：3.8V @ 280uA 漏源導(dǎo)通電阻：1.2mΩ @ 150A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	1.19 Mbytes	共12頁	產(chǎn)品購買