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IPP60R230P6
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO220-3

RoHS：Y

技術(shù)：Si

安裝風(fēng)格：ThroughHole

通道數(shù)量：1Channel

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：600V

Id-連續(xù)漏極電流：16.8A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：207mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓：3.5V

Vgs - 柵極-源極電壓：20V

Qg-柵極電荷：31nC

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：126W

通道模式：Enhancement

封裝：Tube

高度：15.65mm

長(zhǎng)度：10mm

系列：CoolMOSP6

晶體管類型：1N-Channel

寬度：4.4mm

下降時(shí)間：6ns

MXHTS：85412999

上升時(shí)間：7ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：38ns

典型接通延遲時(shí)間：12ns

商標(biāo)名：CoolMOS

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPP60R230P6

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IPP60R230P6XKSA1	MOSFET N-CH 600V 16.8A TO220-3	Infineon Technologies		3.37 Mbytes	共19頁(yè)				產(chǎn)品購(gòu)買