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IPP60R199CP
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:16 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:180 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:43 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:139 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:CoolMOS

封裝:Tube

高度:15.65 mm

長度:10 mm

系列:CoolMOS CE

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.4 mm

商標(biāo):Infineon Technologies

下降時間:5 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:5 ns

工廠包裝數(shù)量:500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:50 ns

典型接通延遲時間:10 ns

零件號別名:IPP60R199CPXKSA1 IPP6R199CPXK SP000084278

單位重量:6 g

IPP60R199CP

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
IPP60R199CP	CoolMOS Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	338.92 Kbytes	共10頁	IPA60R199CP,IPW60R099CP,IPA60R299CP,IPW60R125CP,IPA60R385CP,IPW60R165CP,SPW24N60C3,IPB60R099CP,IPW60R199CP,IPB60R165CP	產(chǎn)品購買
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IPP60R199CP_11	CoolMOS?? Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	385.13 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
IPP60R199CPXKSA1	MOSFET N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP	Infineon Technologies	380.16 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
IPP60R199CPXKSA1	MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3	Infineon Technologies	379.54 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
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