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IPP093N06N3G
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

商標:Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:50 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導通電阻:9 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Qg-柵極電荷:36 nC

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:71 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

封裝:Tube

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:5 ns

正向跨導 - 最小值:55 S, 28 S

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:40 ns

系列:OptiMOS 3

工廠包裝數(shù)量:500

商標名:OptiMOS

典型關閉延遲時間:20 ns

典型接通延遲時間:15 ns

零件號別名:IPP093N06N3GXK IPP093N06N3GXKSA1 SP000680852

IPP093N06N3G

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPP093N06N3G	OptiMOSa?￠3 Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	296.2 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
IPP093N06N3GHKSA1	MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3	Infineon Technologies	687.87 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
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IPP093N06N3GXKSA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：50A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：4V @ 34uA 漏源導通電阻：9.3mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	687.87 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買