制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
商標:Infineon Technologies
Id-連續(xù)漏極電流:80 A
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Rds On-漏源導通電阻:8.5 mOhms
晶體管極性:N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:188 W
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
封裝:Tube
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:18 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:19 ns
系列:IPP085N06
工廠包裝數(shù)量:500
典型關閉延遲時間:53 ns
典型接通延遲時間:10 ns
零件號別名:IPP085N06LGAKSA1
IPP085N06LG
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| IPP085N06LG | OptiMOS?? Power-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 445.64 Kbytes | 共10頁 | IPD350N06LG,IPB048N06LG,IPD400N06NG,IPB050N06NG,IPD640N06LG,IPB065N06LG,IPD800N06NG,IPB070N06LG,IPP80N04S2-04,IPB070N06NG | 產(chǎn)品購買 |
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